新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程，助力加速射频芯片设计

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www.semiinsights.com/, Sept. 30, 2023 – 

加利福尼亚州桑尼维尔，2023年10月30日 - 新思科技近日宣布，携手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺（4纳米射频FinFET工艺）的全新参考流程。该参考流程基于新思科技的定制设计系列产品，为追求更高预测精度和生产率的开放式射频设计环境的客户提供完整的射频设计解决方案。它为开发者提供了经过验证的是德科技的射频集成电路（RFIC）设计和交互式电磁（EM）分析工具，以及Ansys电磁建模和签核电源完整性解决方案等一系列业界领先的解决方案。

新一代无线系统具有更高的带宽、更多的互联设备、更低的时延和更广泛的网络覆盖范围。用于无线数据传输的射频芯片（如收发器和射频前端组件），其设计复杂性也与日俱增。更高的电路频率、更小的特征尺寸和复杂的版图依赖效应，让高速电路设计的物理实现过程极具挑战性性，需要更准确、更全面的建模和仿真技术来实现更高的性能和稳健的产品可靠性。

台积公司N4PRF设计参考流程在新思科技Custom Compiler™设计和版图环境中，实现了低噪声放大器（LNAs）和LC调频压控振荡器（LC VCOs）等关键设计组件的全流程设计和严格验证，并提高了设计周转时间和版图生产率。该设计参考流程集成了业界领先的芯片设计工具，可实现高效的无源器件合成、电磁模型提取、热感知电迁移分析（可扩展至器件金属），以及正确处理电感器下电路（CUI）结构的版图后提取。

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