www.design-reuse-china.com
搜索,选择,比较,与提供商进行安全高效的联系
Design & Reuse We Chat
D&R中国官方微信公众号,
关注获取最新IP SOC业界资讯

基辛格:英特尔18A略优于台积电N2 两年内实现技术领先

www.laoyaoba.com, Dec. 22, 2023 – 

集微网消息,英特尔CEO基辛格(Pat Gelsinger)近日受访时指出,英特尔18A制程及台积电N2制程的晶体管似乎差不多、没有哪家具备显著优势,但不错的晶体管、极佳的背面供电让18A制程稍稍领先N2。他还称英特尔将在两年内实现技术领先,未来甚至有希望为英伟达代工芯片。

基辛格表示,英特尔18A制程及台积电N2制程没有哪家具备显著优势,但多数人都说英特尔的晶圆背面供电技术更加优秀,这让硅晶片拥有更好的面积效率、意味着成本降低,供电较佳则代表效能更高。

基辛格称,除了晶体管优势及背面供电让18A制程稍稍领先N2外,台积电的封装成本非常高,英特尔毛利则可望缓步增加。

报道称,英特尔的未来取决于重新获得半导体制造领域的技术领先地位,基辛格相信这将在两年内实现。

基辛格自去年美国通过《芯片法案》后便宣布一连串美国设厂计划,至今申请补助建厂计划的投资总额已超过千亿美元,但仅在11月获得美国政府拨款的3500万美元补助。基辛格称,英特尔正在与芯片法案项目办公室积极合作,以推动补贴计划进行得更快。(校对/刘昕炜)

点击阅读更多

 Back

业务合作

添加产品

供应商免费录入产品信息

点击此处了解更多关于D&R的隐私政策

© 2026 Design And Reuse

版权所有

本网站的任何部分未经Design&Reuse许可,
不得复制,重发, 转载或以其他方式使用。