tomshardware报道，据可靠信息来源，中芯国际在开发3nm工艺技术

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club.6parkbbs.com, Dec. 22, 2023 – 

尽管美国制裁限制先进工具的使用，但被列入黑名单的中国芯片制造商中芯国际仍在开发 3nm 工艺技术。

据日经新闻报道，尽管由于美国制裁而无法获得先进的芯片生产设备，但中国中芯国际仍致力于开发 7 纳米后的制造工艺，例如 5 纳米和 3 纳米。

报道称，在开发出 足以用于智能手机处理器的第二代 7 纳米级制程技术后，中芯国际现已专门成立一个研发团队致力于 5 纳米和 3 纳米级制程技术的研究，并援引两位知情人士的话称。此事。该团队由联席首席执行官梁孟松领导，梁孟松曾在台积电和三星工作，被认为是业界最优秀的半导体科学家和高管之一。

"没有比这个人更聪明的科学家或工程师了，"台积电前首席法律顾问迪克·瑟斯顿 今年早些时候告诉《EE Times》 。"他确实是我在半导体领域见过的最聪明的人之一。"

中芯国际从中国的一家小型代工厂到成为业界第五大芯片代工商，已经走过了漫长的道路。

在中美关系日益紧张的情况下，该公司被列入美国商务部实体名单，无法使用领先的晶圆厂工具，严重减缓了其进度和新工艺技术的采用。

因此，中芯国际无法从 ASML 获得极紫外（EUV）光刻工具，因此该公司的第二代 7nm 级节点仅依赖于深紫外（DUV）光刻。鉴于台积电的 N7P 工艺节点也不使用 EUV，这并不是一个令人难以置信的壮举。

目前，ASML的Twinscan NXT:2000i光刻机是中芯国际拥有的最好的工具，它们可以蚀刻精细至38nm的生产分辨率。这种精度水平足以使用双图案印刷 38 纳米金属节距，适用于 7 纳米级节点。根据 ASML 和 IMEC 的数据，在 5nm 制程中，金属间距缩小至 30 – 32nm，在 3nm 制程中，金属间距则降至 21 – 24nm。因此，EUV 对于这些节点变得至关重要。

但使用超精细分辨率的光刻工具（低数值孔径 EUV 为 13 纳米）并不是实现超小特征尺寸的唯一途径––多重图案化是一种选择，但这是一个复杂的过程，会延长周期时间，可能会影响产量，磨损晶圆厂设备，并且肯定会增加成本。

然而，如果没有 EUV 工具，中芯国际别无选择，只能使用三重、四重甚至五重图案化来实现较低的分辨率。

瑟斯顿认为，在联合首席执行官梁孟松的领导下，中芯国际可以在不使用 EUV 工具的情况下大批量生产（如果尚未 生产）5nm 芯片。我们已经多次听到中芯国际提到5纳米级工艺技术，因此我们会将有关这一潜在节点的信息视为"无风不起浪"。然而，这是我们第一次从可靠的来源听说中芯国际有能力设计仅 DUV 的 3 纳米级制造工艺。

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