争夺高数值孔径EUV 台积电为何"慢出手"？

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集微网报道 在3nm的争夺才初见分晓之际，2nm却已看似刀光剑影。

www.laoyaoba.com/, Jan. 11, 2024 – 

全球代工三大龙头台积电、三星以及英特尔均在加速开发更先进的2nm工艺，且各有绝招，英特尔的背面供电、TGV；台积电的GAA、CoWoS；三星的MBCFET等等。但在关键的设备领域，无疑High NA EUV成为必须争抢的"堡垒"。

看起来是英特尔先声夺人。近日英特尔大举采购ASML即将在2024出货的下一代高数值孔径High NA EUV光刻机，采购数量为6台，将在2025年及以后用于使用18A或其它工艺的芯片制造。行业估计，ASML明年余下4台产能将由三星晶圆代工和台积电瓜分，三星预计拿到3台，台积电明年很可能只有1台。

难不成台积电"慢了半拍"？但多位行业人士分析，台积电不疾不徐背后有着深厚的底气和实力，台积电是着眼于未来稳扎稳打，未来2nm争夺不只命系高数值孔径EUV，地缘政治的因素或更难预料。

2nm命系High NA EUV？

这也引发一大思考：2nm真的命系High NA EUV？

知名市调机构资深分析师对集微网表示，从目前来看，7nm工艺可采用DUV，而通过多重曝光则可支持5nm，但到了3nm以及2nm之后，想要比其他竞争者更快地推进摩尔定律，必须采用EUV。目前，EUV光刻机可支持工艺推进到3nm左右，但代工厂商若要继续推进到2nm甚至更小尺寸，就需要更高数值孔径的High NA EUV。

为进一步提升EUV光刻机的分辨率，适应下一代2nm以下制程的要求，独步天下的光刻机厂商ASML已经推出高数值孔径NA为0.55的光刻机平台EXE。目前第一代EUV光刻机NXE平台型号已经升级到3600D，而即将推出的第二代High NA EUV––EXE平台的试产型号是5000，量产型号是5200。

据悉，配备0.55 NA镜头的High NA EUV光刻设备可实现8nm的分辨率，与配备0.33 NA镜头的标准EUV 13nm分辨率相比，进步显著。预计High NA EUV将成为2nm以下工艺的关键工具，将在后2nm级工艺中发挥至关重要的作用，而这些技术要么需要使用低数值孔径EUV多重曝光，要么需要使用高数值孔径EUV。

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