新一代内存DRAM接口，牛芯半导体砥砺前行开"芯"局，不负韶华谱新篇

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尽管当前SoC日渐复杂，多核多功能，低功耗和高性能依旧是设计的风向标。对于内存接口而言，更高密度和更低功耗位列评估内存解决方案的重要指标，DDR5、LPDDR5、GDDR6以及HBM2E等新一代的内存接口技术也因此逐渐成为市场主流。即使面对DRAM市场周期波动，以及存储大厂库存积压和缩减成本的压力，内存DRAM的新势力技术依旧火热，甚至还有加大投资的势头。加上生成式AI应用、高算力芯片的带动作用，更高带宽的DRAM接口保持强势增长。

kniulink.com/, Jan. 11, 2024 – 

AI大模型时代来临

推动DDR5技术加速普及

JEDEC（固态技术协会）将DDR5描述为一种"具备革命意义"的内存架构，迎合AI、云计算、物联网等新技术带来的存储和数据传输需求。相比DDR4，DDR5提供了更高的传输速率以及更高的带宽，从而将内存容量进一步扩大。同时，通过采用更低的电压以及先进的传输效率，DDR5也为复杂SoC，高性能计算提供了基础条件。

DDR5首先解决的是速度问题，6400Mbps的传输速度将单个DQ的速度提高一倍(目前业内最高的速率已达到8400Mbps)。与之相应，速度提高也带来了更高的密度。DDR5内存支持更高的内存密度，这意味着在相同的物理空间内，可以容纳更多的内存，这对于需要处理大型数据集或运行内存密集型应用程序的用户来说是非常有益的。相比DDR4，DDR5的容量提高了4倍，达到64Gb。每个通道的突发长度已从8增加到16，这意味着比起DDR4， DDR5 将能够在相同的时间内执行两个 64 字节操作。DDR5具有16n预取架构，这使其具有更高的速度。另外，DDR5引入更多的Training训练种类，多tap DFE的加入，可以解决传输链路上的ISI问题。

在DIMM方面，DDR中提供了电源管理电路，PMIC的加入大大提高了电源完整性。在此条件下，电压可降至1.1V，低于DDR4。而通过PMIC的分配，可以减少噪音和串扰等问题，也为改善信号完整性提供了一定助力。

降低功耗对于设备节能和电池寿命延长尤为重要。DDR5加入了双通道的支持，两个40bit的通道能有效提升内存访问性能，同时也为速度提升提供保障。具体到细节，DDR5在DIMM会引入更多的温度传感器，边带信号升级为I3C，多重升级下，降低了速率容量提升所引起的设计难度。

基于DDR5为传输速率、带宽、容量等方面带来的种种优势，无论是 PC、笔记本电脑还是人工智能，各行业和应用都正在加速向 DDR5新纪元迈进。生成式 AI 市场蓬勃发展，用于大模型应用的 AI 服务器也将大力推动对DDR5的需求。

LPDDR5技术：

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