三星芯片背面供电技术获新突破，将提前应用于2025年2nm制程

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实际上，除了三星之外，其他半导体巨头也在积极寻求类似的技术突破。例如，台积电计划在2nm以下的工艺中应用类似的技术，并预计在2026年之前实现。而英特尔的背面供电技术名为PowerVia，计划在2024年上半年首次应用于其节点Intel 20A，并计划在未来量产中应用于Arrow Lake平台。

www.eet-china.com/, Feb. 29, 2024 – 

在先进芯片工艺上的角逐，早已经成为各大芯片巨头新的竞争高地。其中，在摩尔定律极限的挑战中，最近几年晶圆背面供电（Backside power delivery networks ，BSPDN）这一新的创新技术方向自然受到各大芯片巨头的重点关注与布局。

近日，有消息称，三星电子证实，该公司正在研发的"背面电源（BSPDN）"技术指标超出预期，有望在明年实现量产。据悉，三星使用两种不同的Arm架构内核进行测试，成功将芯片面积分别缩小10%、19%，并且将芯片性能、频率效率提高个位数百分比。

这一技术最早在2019年的IMEC研讨会上被提出，并在随后的研究中得到了不断的发展和完善。据称，BSPDN技术能够解决当前正面供电方案（FSPDN）造成的布线堵塞问题，提高芯片的性能和能效。

此前，三星就曾在相关技术论坛上公开宣称，计划在2027年将BSPDN应用于1.4nm工艺。根据相关演讲报告内容，与传统的前端供电网络相比，新的背面供电网络（BSPDN）方法成功地将所需的晶圆面积减少了14.8%，芯片能拥有更多空间，可增加更多晶体管，提高整体性能；同时布线长度减少了9.2%，有助于降低电阻、使更多电流通过，从而降低功耗，改善功率传输状况。

目前，三星在半导体工艺领域一直处于领先地位，其3nm GAAFET全环绕栅极晶体管架构已经成功量产，并且计划在未来进一步推广和应用。据三星公布的半导体工艺路线图，该公司计划在2025年开始大规模量产2nm工艺，而更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产。

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