台积电展示最新路线图及全球超级晶圆厂制造细节

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在上周举行的欧洲技术研讨会上，台积电不仅展示了最新路线图，还透露了其全球超级晶圆厂制造计划的一些细节。

www.eet-china.com/, May. 24, 2024 – 

在上周举行的欧洲技术研讨会上，台积电不仅展示了最新路线图，还透露了其全球超级晶圆厂制造计划的一些细节。

最新路线图

据外媒Anandtech报道，台积电表示将于今年晚些时候开始采用 N3P 制造工艺进行大批量生产，这将是该公司一段时间内最先进的节点。

同时，值得一提的是，台积电计划在明年推出两种新工艺技术：N3X（3 纳米级，注重极限性能）和 N2（2 纳米级），这将为台积电带来更多的竞争优势。这两种工艺技术将在 2025 年下半年进入大批量制造 (HVM)。

N3X具有诸多优势，通过将 Vdd 从 1.0V 降低至 0.9V，在相同频率下降低功耗 7%，在相同面积下提高性能 5%，或者将晶体管密度提高约相同频率下10%。此外，N3X 的最大电压为 1.2V，对于桌面或数据中心 GPU 等超高性能应用至关重要。

另一方面，N2是台积电首个采用全栅(GAA) 纳米片晶体管的生产节点，将极大地提升性能、功率和面积(PPA) 特性。相对于N3E，N3 的半导体可将其功耗降低25% - 30%，将其性能提高10% - 15%，并将晶体管密度提高15%。 N2 在功耗和晶体管密度方面具有巨大优势，但在性能方面，N3X 可能会与其竞争，尤其是在高电压下。在 2025 年下半年，N3X 可能成为台积电的最佳节点。

此外，明年，台积电还将推出两个针对智能手机和高性能计算应用的节点：N2P（性能增强的 2 纳米级）和 A16（具有背面供电的 1.6 纳米级）。相比N2，N2P 的功耗有望降低 5% - 10%，性能有望提高 5% - 10%。与N2P 相比，A16 的功耗有望降低高达 20%，性能有望提高高达 10%，晶体管密度有望提高高达 10%。

A16 具有增强的背面供电网络，因此很可能成为注重性能的芯片设计师的首选节点，但使用A16会更昂贵，因为背面供电需要额外的工艺步骤。

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