创飞芯·40nm eNT(embedded nitride trap) eFlash技术取得重大突破

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珠海创飞芯科技有限公司在非易失性存储技术领域再获突破——基于40nm标准工艺平台开发的eNT嵌入式eFlash IP已通过可靠性验证！这一成果进一步展现了创飞芯科技有限公司在先进工艺节点上的技术实力与工程化能力。

mp.weixin.qq.com, Aug. 11, 2025 – 

技术领先，满足多样化市场需求

本次发布的40nm eNT嵌入式eFlash IP采用创新的存储架构设计，具备高性能、高可靠性和低功耗等核心优势，可广泛应用于MCU（微控制器）、物联网芯片、智能传感器等领域。尤其在MCU应用中，该IP能够为客户提供灵活的存储解决方案，支持代码存储、数据保存及固件升级等关键功能，满足工业控制、消费电子对高可靠性和长寿命的严苛需求。

核心优势

高可靠性: 擦写次数可达十万次以上，85°情况下，数据保持时间超过十年，符合消费级和工业级标准。

低功耗设计：优化的电路架构显著降低读写功耗，特别适合电池供电的物联网设备及便携式电子产品。

面积高效: 通过创新的单元布局与工艺集成技术，在40nm节点实现更小的硅片面积，助力客户降低芯片成本，提升集成度。

成本低：基于成熟的40nm eNT技术开发，mask少，为客户提供长期稳定的技术支持。

关于MCU应用的突出价值

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