台积电罗镇球：AI 驱动行业爆发，技术布局与全球协同迎接未来

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www.eeworld.com.cn, Dec. 19, 2025 – 

日前，在ICCAD-Expo 2025上，台积电中国区总经理罗镇球结合台积电的业务，对近期半导体发展趋势进行了总结。其表示，AI 正毫无疑问的重塑全球产业逻辑，智能无处不在的愿景已逐步落地。从家庭 AIoT 设备、AR/VR 眼镜等消费终端，到智能驾驶、人形机器人等新兴领域，算力需求的爆发推动半导体行业进入"AI+"重构时代。

数据中心算力的大幅增长，带 AI 功能的 PC、智能手机，AR/VR、机器人等新终端将进一步放大芯片需求，2030 年全球 IC 产业产值将突破 1 万亿美元。

不过，行业发展的核心驱动力不仅是算力提升，更在于能效比优化。未来能效比方面将以每两年提升 3 倍的速度持续突破，这需要依赖晶体管架构、新材料、设计与工艺协同（DTCO）、先进封装及软件配合的全方位创新，这也是台积电可以提供的价值所在。

产品矩阵覆盖全场景需求

据罗镇球介绍，台积电已构建覆盖先进工艺、封装、特殊工艺的全面技术体系，以迎接AI的未来。

在先进工艺方面，3纳米作为最后一代 FinFET 技术早已实现规模化量产，台积电推出了 N3, N3E、N3P、N3X、N3A、N3C 等六大细分工艺，适配 HPC、AI、汽车电子、成本敏感型产品等不同场景。

封装技术方面，TSMC-SoIC 3D 堆叠技术不断突破连接密度，通过降低铜线连接距离，并且采用硅光传输技术替代传统电信号传输，2023 至 2028 年连接密度将提升 20 倍，电源效率提升 15 倍，时延缩短至 1/20。

在低功耗方面，超低功耗工艺电压已降至 0.4V，搭配低漏电 SRAM 技术满足 AIoT 需求；

汽车电子方面，工艺 N7A、N5A 汽车制程已经批量生产，N3A 的研发正在推进，兼顾性能提升与低故障率。

在新型存储方面，台积电RRAM、MRAM 两种新型存储器突破 eFlash 局限，在耐久性、存储速度、数据保存时间等方面表现更优。

在传感器方面，台积电正在通过工艺，实现像素级优化，从而提升动态范围与解析度。

罗镇球指出，总体而言2026 年半导体行业将迎来 AI 带动的全面爆发，"云、管、端" 三大环节协同演进。其中云端将持续推进 3纳米、2纳米及更先进工艺，结合先进封装与堆叠技术，提升算力密度；"管"（传输环节）将以硅光子技术为核心，解决算力传输瓶颈；"端" 侧将成为创新主战场，低功耗、大容量存储、高集成度的芯片需求激增，AIoT、边缘计算等场景将实现规模化落地。

聚焦中国端侧机遇

罗镇球强调，台积电会根据客户需求，在全球范围内的各厂区调配产能，以满足客户产品创新的需求。中国大陆客户在台积电全球营收的占比方面，目前大概在10%左右。

对于中国半导体产业，台积电认为端侧 AI 落地正是核心机遇，中国庞大的市场基数与用户对新应用的接受度，使其在 AIoT、边缘计算等领域具备天然优势。

台积电将继续对中国市场及客户提供稳定支持，通过全球产能调配保障客户需求。未来，台积电将持续与中国企业在端侧 AI 领域合作，依托自身超低功耗、新型存储、传感器等工艺优势，支持中国企业开发适配本土需求的 AIoT、边缘计算、智能终端产品。同时，台积电也期待与中国半导体产业链在设备、原物料、设计、封测等环节开展更多协同创新，共同推动 AI 技术在端侧的规模化落地，助力全球半导体产业发展。

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