台积电2nm工艺N2正式量产，官网发布权威声明

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2021－2022年期间，英特尔代工、三星代工、台积电(TSMC)相继宣布了各自的2nm节点，基本都明确会在2025年实现量产。但目前来看，真正说到做到的，恐怕只有台积电。

www.eet-china.com – Jan. 30, 2026 –

2025年第四季度，全球半导体制造领域迎来了一项里程碑式的进展––台积电正式宣布其2nm（N2）工艺芯片开始量产。这一消息不仅标志着台积电在先进制程技术上的又一次飞跃，也为全球半导体产业注入了新的活力。

根据近日由AspenCore发布的《2026年全球半导体行业10大技术趋势》，自2021年IBM首度宣布造出2nm节点GAAFET晶体管，2nm工艺的热议就开始了。AspenCore资深产业分析师黄烨锋（Illumi Huang）表示，2021－2022年期间，英特尔代工、三星代工、台积电(TSMC)相继宣布了各自的2nm节点，基本都明确会在2025年实现量产。

但目前来看，真正说到做到的，恐怕只有台积电。

台积电在其官网的2nm工艺专业页面上明确声明："台积电的2nm（N2）工艺已按计划于2025年第四季度开始量产。"这一权威声明彻底打消了此前市场对于N2工艺量产时间的猜测与疑虑。据台积电官网"逻辑制程"页面介绍，N2工艺的开发工作一直依照计划进行，并且取得了良好的进展，最新更新日期为12月16日，进一步确认了量产的实质性启动。

GAA纳米片晶体管引领创新

N2工艺是台积电首个采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的制程节点，这一技术革新标志着台积电在半导体制造领域的又一次领先。GAA结构通过栅极完全包裹由水平堆叠纳米片形成的沟道，极大地增强了静电控制，减少了泄漏电流，从而在不牺牲性能或能效的前提下实现了更小的晶体管尺寸。这一创新不仅提升了晶体管的密度，还为未来的性能提升和功耗降低奠定了坚实的基础。

此外，N2工艺还在电源传输网络中集成了超高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器，其电容密度比前代产品高出一倍，同时将片电阻（Rs）和过孔电阻（Rc）分别降低了50%。这些改进显著提升了电源稳定性、芯片性能和整体能效，使得N2工艺在密度和能源效率上成为业界最先进的半导体技术。

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