2025年功率半导体上市公司十大事件

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2025年功率半导体上市公司十大事件聚焦第三代半导体规模化、车规技术突破、产业链整合、AI与高压架构应用四大核心主线。以下为按时间轴排序的年度核心事件：

www.laoyaoba.com, Jan. 10, 2026 – 

1. 三安光电砷化镓全谱系产能落地，氮化镓布局再深化

1月，三安光电砷化镓红黄光项目正式通线投产，成功从蓝绿光单一供应商升级为红、黄、蓝、绿全谱系砷化镓器件供应商，填补国内高端显示领域核心器件供给缺口。同期，公司持续加码氮化镓产能建设，优化从衬底制备到器件封装的垂直整合产业链，重点提升面向快充、数据中心电源的氮化镓器件出货能力。

影响：助力Mini/Micro LED等新兴显示技术商业化提速，氮化镓产能释放进一步强化公司在第三代半导体材料领域的头部地位。

2. 比亚迪半导体发布全球首款1500V车规SiC芯片，批量装车应用

3月17日，比亚迪在超级e平台技术发布会上，推出全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率SiC芯片，专为全域千伏高压架构设计，搭配双面银烧结封装技术，实现5nH低杂散电感与200℃高温工作能力，动态损耗较传统器件大幅降低。该芯片同步配套超级e平台实现量产，支撑"闪充5分钟，畅行400公里"的快充体验。

影响：突破高压电驱系统核心瓶颈，推动1000V高压平台普及，巩固比亚迪在车规SiC领域的技术与量产优势。

3. 尚鼎芯科技赴港IPO，定制化功率器件赛道获资本认可

4月3日，专注于定制化MOSFET、IGBT器件的尚鼎芯科技正式递交港交所招股书，核心产品覆盖工业控制、消费电子、新能源储能等细分领域，凭借柔性化设计能力绑定多家行业头部客户。本次IPO拟募资用于研发中心建设及产能扩充，重点突破车规级定制化器件技术。

影响：拓宽无晶圆厂功率设计企业融资渠道，凸显定制化功率器件在细分市场的增长潜力。

4. 英诺赛科8英寸GaN产能翻倍，第三代器件技术升级

6月，英诺赛科宣布其8英寸氮化镓（GaN）晶圆产线完成二期扩建，月产能从1.3万片提升至2万片，成为全球最大规模8英寸GaN量产基地之一。同期推出第三代700V GaN器件，芯片面积大幅缩减，并实现100V双向器件及合封GaN IC量产，与意法半导体、联合汽车电子达成深度合作，拓展新能源汽车车载电源场景。

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