瑞萨发布3nm汽车芯片

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近日，瑞萨电子宣布两项核心技术进展，分别面向汽车SoC及TCAM存储领域，具体如下：

www.laoyaoba.com – Feb. 21, 2026 –

瑞萨开发出适配R-Car X5H（面向汽车多域ECU的SoC）的先进技术，可使汽车SoC在芯片组配置下实现高性能AI处理，且符合功能安全标准。目前该芯片已交付样品，计划2027年下半年量产，定位为软件定义汽车（SDV）时代的核心SoC。

核心技术亮点包括：一是独特架构支持汽车安全标准ASIL-D，通过区域ID与UCIe通信标准结合，实现芯片组间安全访问控制，传输速度达51.2GB/s；二是优化CPG架构，解决多层微型CPG（mCPG）测试同步难题，降低延迟；三是采用90多个功率域的功率门控技术，结合环形与行形功率开关，使IR压降降低约13%；四是双核锁步（DCLS）配置搭配精准监测技术，提升抗老化性能与故障检测能力。

2026年2月18日，瑞萨推出采用3nm FinFET工艺的可配置三态内容寻址存储器（TCAM）技术，可应用于汽车SoC及多领域设备，兼具高密度、低功耗与高功能安全性。

TCAM是一种高速搜索存储器，在汽车中用于传感器信息的通信控制。瑞萨此次新开发的TCAM硬宏可灵活配置，结合软宏生成技术，可覆盖多种应用场景，内存密度达5.27 Mbits/mm²，处于业界最高水平。

该技术通过两级流水线搜索降低功耗，256位×512项配置下搜索能耗仅0.167 fJ/位，搜索速度达1.7GHz，品质因数（FOM）表现优异；同时优化错误检测与纠正机制，解决传统TCAM双位错误无法纠正的问题，提升汽车应用所需的功能安全性。该技术还可应用于工业及消费电子设备。

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