三星全球首发12层HBM4E样品：带宽达3.6TB/s、容量48GB

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在工艺路径上，三星采取了稳健且高效的策略。HBM4E沿用了已在HBM4上验证的成熟工艺组合，包括第六代10纳米级DRAM（1c）制程与三星自研的4纳米逻辑基底芯片。

Jun. 02, 2026 –

5月29日，韩国科技巨头三星电子（Samsung Electronics）正式宣布，已向全球主要客户交付业内首款12层HBM4E（第四代高带宽内存增强版）工程样品。在HBM4量产仅数月后，三星再次刷新了AI存储芯片的迭代速度，不仅将单堆栈内存带宽推至3.6TB/s，更标志着全球AI算力军备竞赛的核心战场，已全面转向存储性能与容量的极限突破。

此次三星交付的12层HBM4E样品在多项核心指标上实现了代际跨越。其引脚传输速度稳定在14Gbps，并可扩展至16Gbps，整体性能较上一代HBM4提升超过20%。在容量方面，单堆栈内存容量高达48GB，较前代产品增加了30%以上，能够为大语言模型（LLM）训练及下一代AI系统提供强大的数据吞吐保障。

除了速度与容量的提升，HBM4E在能效与散热方面也取得了显著进步。通过先进的低功耗设计技术和优化的封装结构，其能效比上一代提升16%，热阻特性改善14%以上。这一改进将极大缓解高负载数据中心面临的散热压力，提升系统运行的可靠性并降低长期能耗。

在工艺路径上，三星采取了稳健且高效的策略。HBM4E沿用了已在HBM4上验证的成熟工艺组合，包括第六代10纳米级DRAM（1c）制程与三星自研的4纳米逻辑基底芯片。三星存储开发部门执行副总裁Sang Joon Hwang表示："HBM4E再次体现了三星的技术差异化优势，这一组合有助于提升先进工艺的稳定性，并兼顾良率与量产能力。"

HBM4E的率先出样，是三星在AI存储领域加速追赶市场领导者SK海力士的关键一步。目前，全球HBM市场呈现出三星、SK海力士与美光科技"三足鼎立"的竞争格局。

作为当前的市场主导者，SK海力士计划在2026年下半年提供HBM4E样品，并预计于2027年实现量产，其基础裸片将由台积电以3纳米工艺代工。而美光科技的HBM4E开发进展顺利，同样预计在2027年启动量产。相比之下，三星通过压缩研发周期，在时间线上抢占了先机，首批样品已交付给包括英伟达、AMD、谷歌在内的头部AI企业。

据此前信息，为争夺市场份额，三星已采取激进策略，将70%-90%的先进制程产能转向HBM生产，并成功拿下了英伟达约30%的HBM4订单，打破了SK海力士此前的独家供应局面。市场分析机构瑞银预测，到2027年，三星有望在HBM比特出货量上与SK海力士并驾齐驱，各自占据约40%的市场份额，形成稳固的双寡头格局。

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