CEA-Leti携手格罗方德推进欧洲FD-SOI创新，深化FAMES试点生产线合作

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gf.com – Jun. 11, 2026 –

法国格勒诺布尔——2026年6月11日——欧洲领先的微电子研究机构CEA-Leti今日重申了与格罗方德（GF）的长期合作关系。作为终端用户，格罗方德持续参与FAMES试点生产线项目，这不仅推动了双方在全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术领域长达二十余年的合作，更巩固了欧洲在节能型自主半导体领域的领导地位。FAMES项目由欧盟委员会及参与该项目的成员国通过"芯片联合企业"（Chips JU）提供资金支持，正持续加速推动塑造下一代FD-SOI技术的早期研究。

FAMES试点生产线旨在加速先进半导体技术的早期研发，重点关注能效、可持续性和欧洲技术韧性。CEA-Leti 与 GF 在 PD-SOI 和 FD-SOI 技术领域已合作逾二十载，涵盖多个技术世代。双方长期的合作推动了 FD-SOI 技术的成熟发展，使其成为一种差异化技术方案，可满足那些在性能、功耗与成本之间需要实现最优平衡的应用需求。

此次合作的一项成果是GF的FDX™平台，该平台于2018年推出，并在GF位于德国德累斯顿的工厂开发完成。基于FD-SOI技术，GF的22FDX工艺在许多工作负载下可提供媲美14/16纳米FinFET节点的性能，同时具备更低的功耗及固有的抗辐射特性。这些特性使其非常适合广泛的应用领域，包括移动和消费类设备、汽车微控制器、卫星通信、边缘AI以及新兴计算架构。

GF作为FAMES试点生产线早期研究的终端用户，其参与重点在于提升FD-SOI技术能力，包括针对器件改进的探索性工作，以及在下一代衬底创新方面的合作，其中包括应变硅概念的开发。此外，GF和CEA-Leti还利用FAMES试点生产线推进一系列更广泛的基于FDX的项目，涵盖5G/6G射频设计、用于边缘AI内存内计算的嵌入式非易失性存储器、低功耗可穿戴设备以及网络安全组件。

"FAMES试点生产线是欧洲加强半导体研究与创新战略的基石，"CEA-Leti首席执行官塞巴斯蒂安·多维（Sébastien Dauvé）表示。"通过与格罗方德（GlobalFoundries）开展联合创新，我们在加速FD-SOI早期研究的同时，始终将长期创新、可持续发展以及欧洲技术主权作为核心关注点。"

"格罗方德与CEA-Leti在FD-SOI技术领域有着悠久的合作历史，"格罗方德总经理兼高级副总裁曼弗雷德·霍斯特曼表示。"作为FAMES试点生产线的一员，这体现了我们对FD-SOI早期研究的浓厚兴趣，以及对支持欧洲半导体研究生态系统的坚定承诺。"

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