富提亚科技在台积电 180BCD Gen3 平台上推出车规级 eFlash IP

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www.design-reuse.com – Jun. 18, 2026 –

富提亚科技有限公司（以下简称"富提亚科技"）是一家总部位于日本东京的嵌入式闪存 IP（eFlash IP）开发商，宣布推出其最新的车规 eFlash IP (G1)，该产品已在台积电的 180BCD Gen3 工艺平台上完成车规级可靠度验证，富提亚科技的 G1 eFlash IP 可满足下一代车规级应用对可靠性和性能的严苛要求。

富提亚科技的 G1 eFlash IP 基于 SONOS 技术，集成了 256KByte 的 Program Flash Macro 和 1KByte 的 Data Flash Macro，为车规级芯片提供高可靠性、高性价比的非易失性存储器解决方案。G1 eFlash IP 直接附加在台积电的 180BCD Gen3 工艺平台之上，完全无需修改原始 PDK，使客户能够在沿用现有 PDK 的同时，将 eFlash IP 无缝集成到其芯片设计中。该 eFlash IP 已在台积电 180BCD Gen3 工艺平台上成功通过了 AEC-Q100 Grade 1 全套车规级可靠性认证，证实了其在恶劣汽车运行环境下的稳健性，并已具备量产条件。

该 eFlash IP 包括：

• 256KByte PFlash：用于代码存储
• 1KByte DFlash：具备 10 万次 Program/Erase 耐久性，可实现类似 EEPROM 的功能，用于数据存储

PFlash 和 DFlash 均针对快速运行进行了优化，最大 erase 时间低于 20 毫秒，这显著提升了系统性能，并缩短了汽车系统中的固件更新时间。

为简化系统集成，G1 eFlash IP 已内嵌电荷泵（Charge Pump），无需外接高压电路。此外，PFlash 和 DFlash 均为 ECC 接口提供 8 位 Parity-bit，确保器件在整个生命周期内具备高数据完整性与可靠性。

富提亚科技在台积电 180BCD Gen3 工艺平台上推出的 G1 eFlash IP，凭借已验证的 SONOS 架构、快速 erase 性能以及通过全套车规级可靠性认证的优势，非常适合广泛的车规级应用，包括电源管理 IC、电机驱动器、车身电子系统以及其他汽车系统。

关于富提亚科技

富提亚科技成立于 2011 年，由一群曾在日立及瑞萨开发嵌入式非挥发性内存长达 20 多年技术经验丰富的资深工程师所组成。富提亚科技专门提供独家的嵌入式非挥发性记忆体工艺技术与电路设计硅智财授权。这些技术主要用于微控制器、功率半导体、传感器以及其他半导体器件中的嵌入式非易失性存储器，为高价值硅智财（IP）的半导体供应商。

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