富提亚科技宣布在领先晶圆代工厂90BCD工艺平台上推出高性能车规级 eFlash IP

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Jun. 29, 2026 –

Tokyo, Japan – June 2026 – 富提亚科技有限公司（以下简称"富提亚科技"）是一家总部位于日本东京的嵌入式闪存IP（eFlash IP）开发商，宣布推出其最新车规级eFlash IP (G1)。该产品已在一线晶圆代工厂的90BCD工艺平台上完成车规级可靠性验证。该方案兼具面积小、可靠性高以及规格整合度高的特性，是专为次世代汽车电子设计的eFlash IP。

极具竞争力的IP面积与可扩展的Macro阵容

旗舰款256KByte G1 eFlash IP Macro已成功通过完整的AEC-Q100 Grade 1车规认证，证实了其在严苛的汽车极端运行环境下的鲁棒性与量产准备度。基于富提亚科技量产经验优化的架构，这款已通过认证的256KByte G1 eFlash IP具备极具市场竞争力的cell与macro面积，能协助半导体制程厂商最大化晶圆良率并降低晶粒成本。为了支持客户多样化的设计导入，富提亚科技提供灵活且易于集成的macro阵容，容量涵盖32KByte至256KByte。

先进的同步运行：双功能eFlash + EEPROM

该90BCD工艺平台的一大核心创新，在于将eFlash与EEPROM功能集成至单一IP中。此架构支持完全同步的运行以及"边读边写"功能，允许主机系统在存储器的某一区域执行erase或program操作时，仍能无缝从另一区域读取数据。该EEPROM模块专为高频的数据记录进行优化，支持10万次的program/erase读写，并在125°C的高温环境下具备高达10年的强韧数据留存能力。

实现零PDK修改的无缝整合

G1 eFlash IP工艺基于富提亚科技独家的SONOS架构技术，在代工厂的标准90BCD平台上，仅需额外增加3道掩膜版即可完成构建。由于它完全不需要对原始PDK进行任何修改，客户可以放心沿用现有PDK的同时，将G1 eFlash IP无缝整合至其芯片设计中。

富提亚科技90BCD车规级G1 eFlash IP具有极具竞争力的芯片面积与先进的同步读写功能，非常适合用于复杂的汽车电源管理IC、电机驱动器、车身电子系统以及智能传感器。

关于富提亚科技

富提亚科技成立于2011年，由一群曾在日立及瑞萨开发嵌入式非挥发性内存长达20多年技术经验丰富的资深工程师所组成。富提亚科技专门提供独家的嵌入式非挥发性记忆体工艺技术与电路设计硅智财授权。这些技术主要用于微控制器、功率半导体、传感器以及其他半导体器件中的嵌入式非易失性存储器，为高价值硅智财（IP）的半导体供应商。

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