台积电合作取得晶体管关键技术突破

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Aug. 11, 2026 –

台积电与中国台湾地区国立阳明交通大学合作，在下一代晶体管设计上取得关键突破。双方证明，在单层二硫化钼（MoS₂）沟道上沉积外延铝，可实现低散射器件。

当今多数芯片依靠 FinFET 或 GaaFET 来传输和管理电流，但随着芯片制造技术的进步，栅极对电子流的控制变得困难。为突破限制，芯片厂商一直在研究二维单层晶体管，但材料过薄带来新问题。

台积电与阳明交大的研究重点是防止漏电、实现电流控制的栅介质层，他们在 MoS₂ 表面沉积铝层，再让其氧化，形成氧化铝，最后叠加高介电常数的氧化铪作为栅介质。通过这种表面工程，新方法能在 MoS₂ 晶体管中实现更紧密的电流控制，并降低电阻。