英特爾14A製程發力追趕台積電 缺陷密度下降速度為22奈米以來最佳

外電報導，英特爾財務長辛斯納（David Zinsner）透露，次世代14A製程缺陷密度下降速度是22奈米以來最佳，外部客戶也從過去檢視技術數據，進一步詢問可取得的產能。業界認為，英特爾14A大發力，與台積電（2330）次世代先進製程競爭將更激烈。

 辛斯納在德意志銀行2026科技大會表示，14A製程目前缺陷密度優於原先設定的目標曲線，下降速度也勝過過去多個製程節點，「自22奈米以來，沒有看過這樣的表現」。

 英特爾在22奈米製程首度導入鰭式場效電晶體（FinFET）架構，2012年起以此設計產品，是英特爾具代表性的先進製程。辛斯納此次比較的是14A開發階段的缺陷下降軌跡，並非直接比較兩個節點最終的缺陷密度或量產良率。

 英特爾執行長陳立武7月在財報說明會上曾透露，14A缺陷密度與電晶體表現均優於18A開發同期，客戶互動也持續增加，確認2027年下半年為內部產品進行風險試產，2028年進入量產。

 相較18A，14A採用第二代RibbonFET環繞閘極（GAA）電晶體與新一代PowerDirect背面供電技術，High-NA EUV也規畫導入。依英特爾技術藍圖，14A在相同功耗下效能預計提升15%至20%，或在相同性能下降低25%至35%功耗，晶片密度最高增加30%。

 英特爾先進製程大發力，客戶態度也轉趨積極。辛斯納透露，內部晶片設計團隊已開始採用14A開發產品，陳立武與團隊目前每周與外部晶圓代工客戶會面。過去客戶著重查看技術數據，如今關注可取得的產能以及生產安排時間，對14A外部客戶需求的信心提高。

 為配合2028年量產14A，英特爾已提前準備設備投資。辛斯納指出，半導體設備從採購、進廠到裝機需要時間，要讓14A在2028年順利放量，部分資本支出現在就必須啟動。