英特爾晶圓代工與 ASML攜手合作 加速產業運用High-NA EUV

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Sept. 15, 2026 –

本周於SPIE光罩技術暨極紫外光微影研討會（SPIE ）上，英特爾晶圓代工與ASML分享將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術持續導入生產，雙方並宣布將攜手合作，加速產業運用High-NA EUV並擴大應用的最新技術進展。

英特爾晶圓代工部門表示，High NA已應用於英特爾晶圓代工的高量產製造：從早期設備的認證與測試、研發，到代號為 Panther Lake 的 Intel Core Ultra Series 3 處理器部分特定層的量產，迄今累計超過100萬片晶圓採用相關製程；其疊對精度（overlay）、產能（throughput）及設備可用率（availability）均達到英特爾晶圓代工的預期。

英特爾進一步指出，主力製程Intel 18A製程生產、並於特定層使用High NA 的產品，其表現持續達到甚至超越採用NXE平台（數值孔徑0.33的EUV）製作的對應層。

另外，客戶可透過業界現行的光罩規格，實現High NA帶來的效益：無論是6吋光罩範圍內進行平面規劃（floor-planning），或採用英特爾晶圓代工的拼接技術與製程設計套件（PDK）解決方案。

英特爾晶圓代工部門強調，三年多來，英特爾晶圓代工積極倡議大尺寸光罩規格，推動光罩生態系偕同發展：英特爾晶圓代工與ASML、光罩製造商、自動化設備供應商、電子設計自動化（EDA）合作夥伴、材料供應商及半導體製造商密切合作，共同推進未來High NA規模化發展所需的標準、基礎設施與技術。

英特爾晶圓代工與ASML將在雙方多年合作的基礎上，進一步凝聚微影生態系統，共同推動更大尺寸光罩規格發展，並促進未來擴展High NA EUV應用所需的標準、基礎設施與技術進步。透過與光罩製造商、自動化設備供應商、EDA合作夥伴、材料供應商及半導體製造商的共同合作，雙方協助確立產業採用大尺寸光罩的發展方向，同時讓客戶現階段即可獲得High NA EUV帶來的效益。

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