戴伟民：FD-SOI 与 FinFET"两条腿走路"，中国首条 FD-SOI 量产线呼之欲出

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针对中国 FD-SOI 制造，戴伟民提出了"新一代划分"框架，在衬底供应端，Soitec 与上海新昇均已向中国供应 12 英寸 FD-SOI 衬底。

Sept. 21, 2026 –

9月20日，第十一届上海 FD-SOI 论坛在上海举行。芯原股份创始人、董事长兼首席执行官、总裁戴伟民（Wayne Dai）博士发表开幕致辞，系统回顾了 FD-SOI 技术的发展历程与产业里程碑，并披露了全球及中国 FD-SOI 产业链的最新进展。

缘起伯克利，与 FinFET 同宗同源

戴伟民在致辞中回溯，2001 年，加州大学伯克利分校的胡正明（Chenming Hu）、Tsu-Jae King-Liu 与 Jeffrey Bokor 提出了两种将 CMOS 工艺延续到 20nm 以下的方案––3D 全耗尽晶体管 FinFET 与 2D 全耗尽晶体管 FD-SOI。与平面体硅晶体管相比，FD-SOI 采用超薄全耗尽沟道，栅控能力更强，因而具备更好的晶体管微缩能力。

他进一步解释了 FD-SOI 的技术本质：超薄顶层硅、超薄埋氧层（BOX）、全介质隔离、沟道不掺杂，衬底采用超薄埋氧结构。他以 Soitec 的 FD-2D 晶圆为例指出，其关键尺寸是顶层硅厚度––即沟道厚度，精度要求达 ±5Å（埃），而巴黎到上海约 9263 公里的距离，也恰好串联起 FD-SOI 从欧洲发源到中国落地的产业路径。

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