【原创】AI走向边缘，ReRAM成为FD-SOI完美搭子？

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Sept. 22, 2026 –

AI正在从云端向边缘设备快速迁移。汽车、工业、可穿戴、医疗和IoT设备都在增加本地AI能力，但边缘设备与数据中心最大的不同在于：算力和功耗都受到严格限制。

这意味着，Edge AI面临的问题已经不只是"算力够不够"，还包括一个容易被忽略的问题––数据搬运的成本越来越高。AI模型需要越来越多的参数和数据，如果这些数据不断在外部存储器、片上存储和计算单元之间移动，不仅增加延迟，也会消耗大量能量。

因此，未来边缘AI的一个重要方向，是让存储更靠近计算，甚至让存储本身参与计算。这正是ReRAM（可变电阻式存储器"--Resistive Random-Access Memory，也被称为"阻变存储器"）值得关注的原因，而且它很有可能成为FD-SOI的完美搭子！

在9月20日召开的第十一届上海FD-SOI论坛上，Weebit Nano CEO Coby Hanoch发表了《面向高效能FD-SOI的ReRAM技术:从嵌入式存储到边缘AI与内存计算》的演讲，在这个演讲中，他分析了ReRAM价值。

ReRAM首先要解决的，是嵌入式Flash的问题

ReRAM并不是新概念，其基本原理是利用阻变材料中的氧空位形成或溶解导电细丝，在高阻态和低阻态之间实现数据存储。Weebit Nano采用的就是基于氧空位导电细丝的OxRAM技术。