Weebit Nano CEO：ReRAM+"FD-SOI"，边缘AI的最优解！

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Sept. 29, 2026 –

2026年9月20日，由芯原股份（VeriSilicon）主办的第11届上海FD-SOI论坛在上海开幕。Weebit Nano首席执行官Coby Hanoch发表了题为《面向高能效FD-SOI的ReRAM技术：从嵌入式存储到边缘AI与存内计算》的主题演讲，系统阐述了ReRAM（电阻式随机存取存储器）技术如何与FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）工艺形成互补，共同推动下一代高能效智能SoC的发展。

嵌入式存储需求正在发生根本性演变

Hanoch在开篇指出，新应用和系统趋势正在推动嵌入式非易失性存储器（NVM）承担远超以往的使命。驱动这一变革的五大因素包括：边缘端智能化的加速、智能互联设备的普及、汽车与工业电子产品的增长、SoC中集成功能的增多，以及工艺持续微缩的需求。

"当我们审视当今的嵌入式技术时，系统对它们的要求正在快速增长。它们需要更加智能，正在迅速普及––那些原本简单的设计现在变得智能，无处不在。举个例子，汽车中有数十万颗芯片需要智能技术，机器人中也是如此。"Hanoch说道。

在此背景下，嵌入式NVM必须同时满足六项全新要求：更低的功耗、更高的性能、更大的存储密度、良好的可扩展性、高可靠性与耐久性，以及成本效益。传统嵌入式闪存已难以全面兼顾这些需求，这为新兴NVM技术打开了广阔空间。

Hanoch特别强调了功耗的重要性："我们正在向更小的几何尺寸迈进，这使我们能够在单颗芯片上集成更多功能，而需求也在增长，尤其是对功耗的要求。这些设备依靠电池运行，机器人需要移动，汽车需要行驶，你不希望花大量时间给它们充电。你需要高性能，我们需要越来越大的存储容量，而可靠性和耐久性需求也在不断增长。"

Weebit ReRAM技术原理与低功耗特性

Weebit ReRAM基于氧空位导电细丝机制（OxRAM），采用1T1R（一个晶体管加一个电阻）的单元结构。通过在阻变层上施加不同电压，可实现导电细丝的形成与溶解，具体包括三个关键操作...

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