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面向AI时代，新思科技LPDDR6 IP完成硅验证
Oct. 06, 2026 –
随着 AI、智能终端和边缘计算应用的快速发展，市场对于内存带宽和能效的要求不断提升。JEDEC 最新发布的 LPDDR6 标准（JESD209-6），正推动低功耗内存技术迈入新的发展阶段。
作为行业领先的接口 IP 供应商，新思科技近期完成了一项重要验证：LPDDR6/5X/5 PHY IP 在首批 LPDDR6 SDRAM 样片支持的最高速率——10.67Gbps 下，实现了稳定可靠的读写传输，并获得清晰且开口良好的眼图。这一成果不仅验证了其出色的信号完整性和训练算法稳定性，也证明该 IP 已经具备支持下一代移动设备、AI 终端及嵌入式系统的硅实现能力。
这项成果延续了新思科技此前在台积公司（TSMC）N2P 工艺节点上成功完成 LPDDR6 IP 芯片点亮的重要进展，为产业生态更早导入 LPDDR6 技术奠定了坚实基础。
新思科技接口 IP 工程高级副总裁 Dino Toffolon 表示：“LPDDR6 IP 在台积公司 N2P 工艺上的成功芯片点亮，是推动下一代内存技术落地的重要里程碑。通过提供经过验证且值得信赖的 IP 解决方案，我们能够帮助客户更快开发面向移动终端、边缘 AI 及高性能计算等应用的创新产品。”
在 10.67Gbps 下实现稳定可靠运行
验证结果表明，新思科技 LPDDR6/5X/5 PHY IP 在 10.67Gbps 单引脚速率下实现了稳定可靠的运行，具体表现包括：
- 在完成完整 PHY 训练后，读写眼图保持清晰且开口良好，同时具备充足的水平裕量和垂直裕量；
- 通过接收端判决反馈均衡（Rx DFE）以及片上终端匹配（ODT）参数优化，有效提升了时序裕量和抖动裕量；
- 在新思科技测试平台及 2 纳米工艺测试芯片上，仿真结果、信道模型分析与实际硅测试结果之间表现出良好的一致性，验证了设计模型和实现方案的准确性。
展望更高数据速率：迈向 14.4Gbps 的 LPDDR6
虽然新思科技已经在首批 LPDDR6 SDRAM 样片支持的最高速率——10.67Gbps 下完成了互操作性验证，但这并非 LPDDR6 IP 性能的终点。借助 IP 内建的自动测试设备（ATE）测试能力，新思科技进一步验证了该内存接口 IP 可支持高达 14.4Gbps 的数据传输速率，如图 2 所示。
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