GlobalFoundries与TSMC签署CoWoS互连芯片制造协议、GF全球产能扩张建设、Tower与Semtech扩大SiGe制造合作

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https://mp.weixin.qq.com/s/hd1dPBHrsp6T0H2mcPVKZg – Oct. 18, 2026 –

1、GlobalFoundries与TSMC签署20亿美元CoWoS互连芯片制造协议。

GlobalFoundries与台积电签署一份价值20亿美元、为期五年的合作协议，将在纽约马耳他设立CoWoS硅基互连芯片的生产工厂，预计将于2028年上半年实现量产。旨在为TSMC的CoWoS先进封装生态系统提供美国本土的硅基互连芯片供应。

该协议涵盖采用先进封装技术的硅基互连芯片，包括嵌入式深沟槽电容（DTC），为处理器、加速器芯片组以及高带宽内存（HBM）堆叠之间提供高密度电气连接。嵌入式电容可支持这些日益复杂的组件中的本地电源供应和电源完整性。GlobalFoundries将为TSMC提供制造服务，TSMC将把这些组件集成到其更广泛的CoWoS封装生态系统中。

CoWoS无需依赖单一的集成处理器，可将多个半导体芯片和HBM堆叠集成于同一封装内。硅基互连器提供这些组件之间传输数据所需的高密度电气连接。制造挑战不仅限于生产最先进的逻辑晶体管，还要求高质量的互连器、细间距互连、电源分配组件、基板、组装及测试等环节。

深沟槽电容器可在硅结构中实现高密度电容，将这些组件集成到插接板中，有助于改善局部供电能力，减少因处理器工作负载快速变化而引起的电压波动。未具体说明电容密度、电气性能、插接板尺寸或支持的CoWoS封装配置。

2028年第一季度的产能目标设定明确的制造里程碑。需要关注的重要进展包括制造认证、初期生产良率、插件尺寸、支持的封装世代，以及未来是否可能超出最初协议范围的扩展。目前，各公司尚未公布年度生产量、具体终端客户或20亿美元资金在各年的分配情况。也未确认所有CoWoS组件将在纽约组装，已确认的是为TSMC的封装生态系统在美国境内制造硅基插件。

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