GlobalFoundries为何继续押注7nm FD-SOI？

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Why is GlobalFoundries continuing to bet on 7nm FD-SOI?

www.eeworld.com.cn – Oct. 14, 2026 –

当半导体行业讨论先进制程时，FinFET和GAA已经成为绕不开的关键词。从智能手机处理器到数据中心GPU，芯片厂商持续缩小晶体管尺寸，以提高集成度、改善能效，并为更大规模的计算提供支撑。

FD-SOI是另一条持续演进的技术路线。

2026年10月9日，GlobalFoundries（格芯）宣布推出新一代FD-SOI工艺平台FDX Fusion，面向汽车、工业、机器人和边缘AI等应用。格芯表示，该平台首代技术将实现7nm级数字性能，相较第一代FDX技术，密度有望提升两倍以上，同时支持射频、模拟与混合信号、嵌入式非易失性存储器等功能。公司计划于2027年初提供演示芯片供客户评估，2027年年中发布初版PDK，并于2028年开始制造。

这项技术的意义，在于格芯试图将FD-SOI推进到更高的数字性能区间，同时保留这条工艺路线在低功耗、模拟和射频集成方面的特点。

先进制程竞争，正在呈现不同的技术需求

过去十多年，先进逻辑工艺沿着晶体管结构创新的方向发展。

随着平面晶体管尺寸缩小，栅极对沟道的控制能力逐渐受到限制，短沟道效应和漏电问题成为重要挑战。FinFET通过鳍片结构增强栅极对沟道的控制能力，GAA则进一步采用环绕沟道的栅极结构，改善更小尺寸下的电荷控制能力。

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