新闻：GlobalFoundries与TSMC签署CoWoS互连芯片制造协议、GF全球产能扩张建设、Tower与Semtech扩大SiGe制造合作

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GlobalFoundries and TSMC sign CoWoS interconnect chip manufacturing agreement, GF expands global capacity, and Tower and Semtech expand SiGe manufacturing cooperation

mp.weixin.qq.com – Oct. 18, 2026 –

1、GlobalFoundries与TSMC签署20亿美元CoWoS互连芯片制造协议

GlobalFoundries与台积电签署一份价值20亿美元、为期五年的合作协议，将在纽约马耳他设立CoWoS硅基互连芯片的生产工厂，预计将于2028年上半年实现量产。旨在为TSMC的CoWoS先进封装生态系统提供美国本土的硅基互连芯片供应。

该协议涵盖采用先进封装技术的硅基互连芯片，包括嵌入式深沟槽电容（DTC），为处理器、加速器芯片组以及高带宽内存（HBM）堆叠之间提供高密度电气连接。嵌入式电容可支持这些日益复杂的组件中的本地电源供应和电源完整性。GlobalFoundries将为TSMC提供制造服务，TSMC将把这些组件集成到其更广泛的CoWoS封装生态系统中。

CoWoS无需依赖单一的集成处理器，可将多个半导体芯片和HBM堆叠集成于同一封装内。硅基互连器提供这些组件之间传输数据所需的高密度电气连接。制造挑战不仅限于生产最先进的逻辑晶体管，还要求高质量的互连器、细间距互连、电源分配组件、基板、组装及测试等环节。

深沟槽电容器可在硅结构中实现高密度电容，将这些组件集成到插接板中，有助于改善局部供电能力，减少因处理器工作负载快速变化而引起的电压波动。未具体说明电容密度、电气性能、插接板尺寸或支持的CoWoS封装配置。

2028年第一季度的产能目标设定明确的制造里程碑。需要关注的重要进展包括制造认证、初期生产良率、插件尺寸、支持的封装世代，以及未来是否可能超出最初协议范围的扩展。目前，各公司尚未公布年度生产量、具体终端客户或20亿美元资金在各年的分配情况。也未确认所有CoWoS组件将在纽约组装，已确认的是为TSMC的封装生态系统在美国境内制造硅基插件。

2、GlobalFoundries入选美国-日本晶圆厂计划，最高获210亿美元资金支持

GlobalFoundries将在纽约运营两座拟建的晶圆厂，该项目由日本承担建设费用，美国与日本共同拥有这些设施。首座300毫米晶圆厂预计将于2029年投入运营。首座工厂约100亿美元,第二座工厂再投入约100亿美元,每座工厂产能约90万片300毫米晶圆。

此外，GlobalFoundries与美国商务部已同意从公司现有的CHIPS法案及科学法案拨款中，重新分配9.55亿美元，用于在马耳他和佛蒙特州伯灵顿市投资硅光、硅锗（SiGe）以及先进封装技术。

2025年6月，GF宣布针对纽约和佛蒙特州的160亿美元投资计划，将此前规划的扩建和现代化投资超过130亿美元，并新增30亿美元用于研发，涵盖光子学、封装和氮化镓（GaN）等领域。GF也在扩大其欧洲制造基地。其位于德累斯顿的11亿欧元SPRINT项目目标是在2028年底实现每年生产超过一百万片300毫米晶圆的产能。GF计划开发并制造FDXFusion，基于FD-SOI平台，旨在实现类似7nm级别的数字性能，并具备模拟、射频（RF）和嵌入式存储功能，该计划仍需在拟议框架下获得德国政府的批准。在新加坡，GF与Monolithic Power Systems建立的制造合作关系，将从2027年初开始投入更多功率管理芯片的生产。

另外，日本正在海外资助半导体产能建设，同时在国内重建先进制造能力。Rapidus位于北海道千岁市的IIM-1工厂于2025年4月启动试产线运营，目标是到2027年实现2nm逻辑的量产。Rapidus已报告完成300毫米晶圆上的晶体管操作验证，并向早期客户交付预发布PDK。

台积电通过其在熊本的全资子公司日本先进半导体制造公司，提供另一条重大扩张路径。首个工厂于2024年底进入量产阶段。进一步升级第二座工厂的规划，以涵盖与人工智能相关需求的3纳米技术,将于2028年投入量产。

综合来看，日本在半导体制造多个层面的参与：Rapidus正在开发国内先进的逻辑芯片代工产能，台积电将成熟代工工艺引入日本，而GF计划则通过现有运营商支持，资助额外美国产能建设。此次投资奠定制造能力的基础；工艺验证、客户采纳、良率以及生产爬坡进度，将决定该产能何时成为可用供应。

3、Tower与Semtech扩大SiGe制造合作

Tower与Semtech将延长多年期的SiGe制造合作协议，以支持人工智能光互连技术，并在美国、以色列和日本保留产能，投资金额及数量未披露。

该协议支持Semtech在TIA、调制器和激光驱动器以及线性均衡器等组件上的发展，互连技术从800G和1.6T向3.2T迈进。

Semtech此前推出的每通道224Gbps产品组合，其四通道和八通道TIA均具备均衡功能，调制器驱动器则支持硅光、磷化铟以及薄膜铌酸锂发射器。涵盖LPO、LRO、NPO和CPO，并将链路监控和遥测功能集成到信号链中。

该协议凸显实现更高速率光链所面临的制造需求。Semtech的线性光学产品组合仍需具备低噪声接收放大、线性发射驱动器和均衡器，同时其电气特性需与光子技术及主机接口相匹配。Semtech对多种发射材料的支持，导致模拟信号链分布在多个光学实现方案中。

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