半导体工艺 "军备竞赛"将转向 High-NA EUV，2nm 只是起点

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随着2nm量产在即，英特尔、三星、台积电以及IMEC等研究机构都将工艺开发的重点瞄准了新一代工艺技术。进入埃米时代，先进工艺的开发与生产大概率将采用High-NA EUV光刻机，对于High-NA EUV及相关工艺的研究也热了起来。ASML与Imec于3月中宣布签署新的战略合作伙伴协议，重点关注半导体研究与可持续创新。 Imec也与蔡司加强合作，目标指向High-NA EUV及相关工艺的应用与开发。

www.laoyaoba.com, May. 05, 2025 – 

2nm 工艺竞速

2nm的量产与应用是2025年全球半导体产业一大看点。台积电、英特尔、三星都将交付2nm的时间点订在2025年。

台积电在2025年北美技术研讨会上透露，该公司有望在今年下半年开始大规模生产N2（2nm 级）芯片，将实现所谓的"全节点改进"，首个依赖环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的生产技术。与N3E相比，性能提升10%至15%，功耗降低25%至30%，晶体管密度提升15%。产能在年底前有望达到5万片，甚至有机会迈上8万片台阶。

英特尔在此前召开的2025愿景大会上也宣布，其Intel 18A工艺节点已进入风险生产。这是一个关键的生产里程碑，标志着该节点目前处于小批量测试生产运行的早期阶段。英特尔处理器Panther Lake很可能是风险生产的产品。有消息称，在未来举行的2025年VLSI研讨会上，英特尔将详细介绍18A的情况。综合此前释出的资料，18A制造技术是英特尔首个采用环绕栅极（GAA）RibbonFET晶体管并采用PowerVia背面供电网络（BSPDN）的节点。与采用Intel 3工艺技术制造的相同模块相比，Intel 18A制造工艺在相同电压（1.1V）和复杂度下，性能提升25%，在相同频率和1.1V电压下，功耗降低36%。

三星电子的晶圆代工部门财务状况不佳，继2023年录得2万亿韩元的运营亏损后，去年该部门的亏损额预计翻倍至4万亿韩元，2025年可能再亏损3万亿韩元。自全永铉（Jeon Young-hyun）接任半导体部门负责人以来，该公司已放缓资本支出。但是，三星电子并没有放缓对先进工艺的开发。有消息称，三星的新一代自研移动处理器Exynos 2600将采用自家2nm工艺（SF2），目前试产初始良率达到了预计的30%。另有消息称，高通的下一代处理器的代工生产也将再度探索使用双重采购方案 ，利用台积电和三星代工厂的技术来降低生产成本。

伴随2nm工艺的推进，厂商也在提前布局再下一代工艺的开发。据报道，三星电子目标在2027年将1.4nm的SF1.4制程量产。在2025年北美技术研讨会上台积电还透露了计划在2026年底推出A16芯片制程，2028年开始使用A14制程的计划。而根据英特尔代工的最新路线图，Intel 14A（1.4nm级）节点将于2026年投入生产，Intel 10A（1nm级）将于2027年底开始开发或生产。在此情况下，各大厂商对High-NA EUV光刻工艺开发也提上议程。

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