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三星为追台积电改Roadmap:跳过4nm,直接上3nm
因与其竞争对手台积电在工艺路线上的计划不同,三星电子将跳过4nm工艺,直接由5nm跃升至3nm环绕栅极晶体管(GAAFET)……(首图自pxhere)
www.eet-china.com, Jul. 03, 2020 –
在半导体代工领域,两大巨头台积电和三星电子目前都已进入5nm工艺:台积电5nm已大规模量产,4nm的N4工艺有望在2023年完成;而三星投资81亿美元的新5nm产线于今年开始建设,最快明年投产。
3nm方面台积电在多年前就已开始谋划,2020年为其产线获得了200亿美元的投资,并计划2021年风险试产,2022年上半年大规模量产。在6月初,甚至有外媒称台积电已经开始安装3nm工艺的生产线,早于此前的预期。
看起来,无论三星如何追赶,进度都比台积电差了那么1年左右,但7月2日,三星决定在工艺上大跃进。