台积电3nm成功量产，稳了吗？

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台积电在2022Q4高调宣布量产3纳米鳍式场效晶体管制程，是由原本的N3改良为N3B 制程良率较低的大约60~70%，较高的大约70~80%，表现相当亮眼，而计划在2023Q2或Q3量产的3纳米（N3E）制程良率更达80%以上， 而且价格更低更有竞争力。 反观三星早在2022Q2就宣布量产3纳米环绕栅极场效晶体管（GAAFET），但是被韩国媒体爆料良率只有20%，使得台积电3纳米制程大胜三星，到底FinFET 与G AAFET有什么不同？ 未来三星又会如何应对呢？

www.eet-china.com/, Jan. 17, 2023 – 

台积电在2022Q4高调宣布量产3纳米鳍式场效晶体管制程，是由原本的N3改良为N3B 制程良率较低的大约60~70%，较高的大约70~80%，表现相当亮眼，而计划在2023Q2或Q3量产的3纳米（N3E）制程良率更达80%以上， 而且价格更低更有竞争力。 反观三星早在2022Q2就宣布量产3纳米环绕栅极场效晶体管（GAAFET），但是被韩国媒体爆料良率只有20%，使得台积电3纳米制程大胜三星，到底FinFET 与G AAFET有什么不同？ 未来三星又会如何应对呢？

什么是集成电路（IC：Integrated Circuit）？

将电的主动元件（二极管、晶体管）与被动元件（电阻、电容、电感）缩小以后，制作在硅晶圆或砷化镓晶圆上，称为"集成电路（IC：Integrated Circuit）"，其中"集成（Integrated）"与"电路（Circuit）"是指将许多电子元件堆积起来的意思。

将电子产品打开以后可以看到印刷电路板（PCB：Printed Circuit Board）如图一所示，上面有许多长得很像"蜈蚣"的集成电路（IC），集成电路的尺寸有大有小，我们以处理器为例边长大约20 毫米（mm），上面一小块正方形称为"芯片（Chip）"或"晶粒（Die）"，晶片边长大约10毫米（mm）， 晶片上面密密麻麻的组件称为"晶体管（Transistor）"，晶体管边长大约100纳米（nm），而晶体管上面尺寸最小的结构称为"栅极长度（Gate length）"大约10纳米（nm），这个就是我们常听到的台积电"10纳米制程"。

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