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台积电3nm成功量产,稳了吗?
台积电在2022Q4高调宣布量产3纳米鳍式场效晶体管制程,是由原本的N3改良为N3B 制程良率较低的大约60~70%,较高的大约70~80%,表现相当亮眼,而计划在2023Q2或Q3量产的3纳米(N3E)制程良率更达80%以上, 而且价格更低更有竞争力。 反观三星早在2022Q2就宣布量产3纳米环绕栅极场效晶体管(GAAFET),但是被韩国媒体爆料良率只有20%,使得台积电3纳米制程大胜三星,到底FinFET 与G AAFET有什么不同? 未来三星又会如何应对呢?
www.eet-china.com/, Jan. 17, 2023 –
台积电在2022Q4高调宣布量产3纳米鳍式场效晶体管制程,是由原本的N3改良为N3B 制程良率较低的大约60~70%,较高的大约70~80%,表现相当亮眼,而计划在2023Q2或Q3量产的3纳米(N3E)制程良率更达80%以上, 而且价格更低更有竞争力。 反观三星早在2022Q2就宣布量产3纳米环绕栅极场效晶体管(GAAFET),但是被韩国媒体爆料良率只有20%,使得台积电3纳米制程大胜三星,到底FinFET 与G AAFET有什么不同? 未来三星又会如何应对呢?
什么是集成电路(IC:Integrated Circuit)?
将电的主动元件(二极管、晶体管)与被动元件(电阻、电容、电感)缩小以后,制作在硅晶圆或砷化镓晶圆上,称为"集成电路(IC:Integrated Circuit)",其中"集成(Integrated)"与"电路(Circuit)"是指将许多电子元件堆积起来的意思。
将电子产品打开以后可以看到印刷电路板(PCB:Printed Circuit Board)如图一所示,上面有许多长得很像"蜈蚣"的集成电路(IC),集成电路的尺寸有大有小,我们以处理器为例边长大约20 毫米(mm),上面一小块正方形称为"芯片(Chip)"或"晶粒(Die)",晶片边长大约10毫米(mm), 晶片上面密密麻麻的组件称为"晶体管(Transistor)",晶体管边长大约100纳米(nm),而晶体管上面尺寸最小的结构称为"栅极长度(Gate length)"大约10纳米(nm),这个就是我们常听到的台积电"10纳米制程"。
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