巨头押注，MRAM开始爆发

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存储技术发展更迭50年，逐渐形成了SRAM、DRAM及Flash这三大主要领域。但是随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进，传统的DRAM和NAND Flash开始面临越来越严峻的微缩挑战；再加上由于这些存储技术与逻辑计算单元之间发展速度的失配，严重制约了计算性能和能效的进一步提升。

www.36kr.com/, Feb. 01, 2024 –

因此，业界开始对新型存储技术寄予厚望，越来越多的新型技术迅速涌现。

目前主流的新型存储器主要包括四种：阻变存储器（ReRAM/RRAM），相变存储器（PCRAM），铁电存储器（FeRAM/FRAM），磁性存储器（MRAM）。其中MRAM正在成为当下主流的新型存储技术，并且有专家预言，MRAM将带来下一波的存储浪潮。

MRAM的特点

MRAM是一种兼具DRAM和Flash特点的存储介质，以下是MRAM的一些具体特质。

非易失：铁磁体的磁性不会由于断电而消失，故MRAM具备非易失性。

读写次数无限：铁磁体的磁性不仅断电不会消失，而是几乎可以认为永不消失，故MRAM和DRAM一样可以无限次重写。

写入速度快、功耗低： MRAM的写入时间可低至2.3ns，并且功耗极低，可实现瞬间开关机并能延长便携机的电池使用时间。

和逻辑芯片整合度高： MRAM的单元可以方便地嵌入到逻辑电路芯片中，只需在后端的金属化过程增加一两步需要光刻掩模版的工艺即可。再加上MRAM单元可以完全制作在芯片的金属层中，甚至可以实现2~3层单元叠放，故具备在逻辑电路上构造大规模内存阵列的潜力。