意法半导体突破20纳米壁垒，打造具有成本竞争力的下一代微控制器

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为各种电子应用客户提供服务的全球半导体领导者意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）宣布推出一种基于18纳米完全耗尽绝缘体（FD-SOI）技术的先进工艺，采用嵌入式相变存储器（ePCM），以支持下一代嵌入式处理设备。这项由意法半导体和三星Foundry共同开发的新工艺技术为嵌入式处理应用带来了性能和功耗的飞跃，同时允许更大的内存容量和更高的模拟和数字外设集成水平。基于新技术的首款下一代 STM32 微控制器将于 2024 年下半年开始向选定客户进行样品采样，计划于 2025 年下半年生产。

www.moomoo.com/us/hans, Mar. 19, 2024 – 

Remi El-Ouazzane意法半导体微控制器、数字集成电路和射频产品组总裁说："作为半导体行业的领先创新者，意法半导体开创了汽车和航空航天应用的FD-SOI和PCM技术，并将其带给我们的客户。我们现在正在采取下一步行动，将这些技术的好处带给工业应用开发人员，首先是我们的下一代 STM32 微控制器。"

技术优势

与当今使用的意法半导体 40 纳米嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 极大地改善了关键性能指标：

• 性能功率比提高了 50% 以上
• 非易失性存储器 (NVM) 密度提高 2.5 倍，可实现更大的片上存储器
• 数字密度提高了三倍，用于集成数字外围设备，例如人工智能和图形加速器以及最先进的安全和安全功能
• 噪声系数提高了 3dB，增强了无线 MCU 的射频性能

该技术能够进行 3V 操作，以提供模拟功能，例如电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器。它是唯一支持这种能力的低于 20 纳米的技术。

该技术还提供了要求苛刻的工业应用所需的可靠性，这要归功于其稳定的高温运行、辐射硬化和数据保留能力，已经在汽车应用中得到证实。

有关以下内容的更多信息 FD-SOI 和 PCM 可在 ST.com 上找到。

为 STM32 微控制器开发人员和客户带来的好处

基于该技术的微控制器将为开发人员带来一类全新的高性能、低功耗和无线微控制器。大容量内存支持边缘 AI 处理、多协议 RF 堆栈、空中更新和高级安全功能不断增长的需求。高性能和大内存容量将使当今使用微处理器的开发人员可以选择在设计中使用集成度更高、更具成本效益的微控制器。它还将允许进一步提高超低功率器件的功效，而意法半导体的产品组合目前处于行业领先地位。

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