珠海创飞芯:基于90纳米CMOS图像传感器工艺制程的OTP IP成功量产

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Apr. 17, 2024 – 

珠海创飞芯科技有限公司，国内领先的一站式存储NVM IP供应商，近日宣布其在全球排名前五的晶圆代工厂中，针对90纳米CMOS图像传感器（CIS）工艺制程上的OTP IP(一次性可编程存储IP核）已成功进入量产阶段。该OTP IP采用了创飞芯的第二代存储单元，相较于第一代的存储单元面积缩小了55%，极具优势及竞争力。该OTP IP已在90纳米CIS工艺制程上通过了晶圆代工厂要求的可靠性质量验证，目前在客户产品中验证通过并实现大规模量产，该技术突破标志着公司的IP产品在图像传感器领域取得了重要进步，能够为图像传感器领域的客户提供更高可靠性、低成本、小面积的OTP IP解决方案。

OTP IP在CIS领域发挥重要作用

OTP(One-Time Programmable) IP ，一次可编程知识产权核，烧入后可使得数据不能被再次更改和清除。随着嵌入式应用越来越广泛，OTP 可起到保护硬件设计的作用，同时能够保护产品安全，防止被非法侵入，被广泛应用于显示驱动、图像传感器、电源管理芯片、MCU、蓝牙芯片等领域。 而在图像传感器领域，在生产过程中，即便采用了最好的制造工艺也难免会因为制造差异，导致产生图像失真等问题。而为了纠正图像失真，需要一种存储器来存储有缺陷像素的位置和传感器阵列的修调信息，此时OTP IP成为了绝佳的选择。OTP IP只需在制造流程中编程一次数值，便可以永久存储位置信息、校正数据及其他数值，实现CIS芯片每次上电时都能够进行信息读取，从而实现图像纠正。

创飞芯推出适用于 CIS 应用的安全、可靠、小面积的 OTP IP

• 无需额外工艺条件与步骤：创飞芯核心团队于2013年已开始布局OTP专利，在反熔丝OTP IP技术上积累了深厚的基础，并得到了广泛的市场验证及客户认可，完全可靠且安全。反熔丝OTP IP制造过程中无需额外工艺条件与步骤，并且在标准 CMOS 工艺中，反熔丝OTP IP可采用与逻辑器件相同的规则进行设计，因此二次开发成本低，具有可扩展性等优势。
• 高可靠性：反熔丝 OTP IP的底层技术是通过氧化层击穿编程，通过应用高电压实现，并且由于制造工艺不需要进行任何更改，因此反熔丝 OTP IP可以获得与标准 CMOS 工艺相同的良率和高可靠性。
• IP核面积小：创飞芯通过技术积累及不断迭代，实现了极具竞争力的IP面积，目前采用第二代存储单元的OTP IP相比第一代存储单元面积缩小55%，能够为客户的CIS产品应用强势赋能，为厂商客户提供安全可靠、低成本、低功耗的解决方案。

关于创飞芯OTP IP产品动态

创飞芯目前与国内外多家先进晶圆制造厂商都建立了深度战略合作关系，工艺节点已验证覆盖包括180/130/110/90/55/40/28/22纳米等，并且能够根据不同工艺节点和不同技术路线的特点，帮助客户采用能满足其应用场景和特定需求，在功耗、尺寸、性能、成本等各方面指标达到需求的OTP IP最优方案。 创飞芯作为大陆领先的OTP IP供应商，在嵌入式非挥发存储领域耕耘多年，已向国内多家行业龙头设计公司提供多种成熟、可靠、有竞争力的OTP IP方案，洞察中国本土市场和客户的特定需求，助力国内IC企业实现国产替代，累计服务客户超过50家，累计10亿+芯片使用创飞芯的NVM IP解决方案。创飞芯依靠其强劲的研发能力以及多年积累的技术经验，并将不断投入研发，持续增强核心竞争力，期待为广大应用市场提供更完善的OTP IP技术解决方案，为国产NVM IP领域贡献重要力量。

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